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AFGB40T65SQDN

650V 80A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:最大结温:TJ = 175℃。 高速开关系列。 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 40 A。 100%的器件经过动态测试。 AEC-Q101认证。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车车载充电器。 混合动力汽车的汽车DC/DC转换器
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
AFGB40T65SQDN
商品编号
C603141
商品封装
D2PAK​
包装方式
编带
商品毛重
2.08克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型-
集射极击穿电压(Vces)650V
集电极电流(Ic)80A
耗散功率(Pd)238W
输出电容(Coes)50pF
正向脉冲电流(Ifm)160A
集射极饱和电压(VCE(sat))2.1V@40A,15V
栅极阈值电压(Vge(th))2.6V@40mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)76nC@15V
输入电容(Cies)2.495nF
开启延迟时间(Td(on))17.6ns
关断延迟时间(Td(off))75.2ns
导通损耗(Eon)858uJ
关断损耗(Eoff)229uJ
反向恢复时间(Trr)131ns
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)
反向传输电容(Cres)9pF

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