AFGB40T65SQDN
650V 80A
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- 描述
- 特性:最大结温:TJ = 175℃。 高速开关系列。 VCE(sat) = 1.6 V(典型值)@ IC = 40 A。 100%的器件经过动态测试。 AEC-Q101认证。 这些器件无铅且符合RoHS标准。应用:汽车车载充电器。 混合动力汽车的汽车DC/DC转换器
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- AFGB40T65SQDN
- 商品编号
- C603141
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 输出电容(Coes) | 50pF | |
| 正向脉冲电流(Ifm) | 160A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V@40A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.6V@40mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@15V | |
| 输入电容(Cies) | 2.495nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 17.6ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 75.2ns | |
| 导通损耗(Eon) | 858uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 229uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 131ns | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 9pF |
优惠活动
购买数量
(800个/圆盘,最小起订量 1 个)个
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