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BVSS123LT1G
1个N沟道 耐压:100V 电流:170mA
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- 描述
- 适用于低功率应用的汽车用功率 MOSFET。100V，170mA，6 Ω，单 N 沟道，SOT-23。通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- BVSS123LT1G
- 商品编号
- C605325
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 170mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 适用于汽车及其他需要独特站点和控制变更要求应用的BVSS 前缀；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准