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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 10 A、60 V，RDS(on) = 140 mΩ（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 5.0 A
- 低栅极电荷（典型值5.8 nC）
- 低Crss（典型值15 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器