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FDS8958A-F085
耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 这些双 N 沟道和 P 沟道增强型功率场效应晶体管采用先进的 PowerTrench 工艺制造，该工艺经过专门优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS8958A-F085
- 商品编号
- C605062
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 575pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款STripFET™ DeepGATE™功率MOSFET技术是最新的改进成果之一，它采用全新的栅极结构，专门针对降低导通电阻进行了优化，具备卓越的开关性能。
商品特性
- Q1:N 沟道
- 7.0A、30V,RDS(on) = 0.028 Ω(VGS = 10 V 时)
- RDS(on) = 0.040 Ω(VGS = 4.5 V 时)
- Q2:P 沟道
- 5A、-30V,RDS(on) = 0.052 Ω(VGS = -10 V 时)
- RDS(on) = 0.080 Ω(VGS = -4.5 V 时)
- 快速开关速度
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和处理能力
- 符合 AEC Q101 标准
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关应用