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FDS9958
耐压:60V 电流:2.9A
- 描述
- 这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用： 负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS9958
- 商品编号
- C605063
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V,2.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 当栅源电压（VGS） = 10 V，漏极电流（ID） = 25 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 36.3 mΩ（典型值）
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻（RDS(on)）
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器
- 同步整流