FDU5N50NZTU
FDU5N50NZTU
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDU5N50NZTU
- 商品编号
- C605065
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.677克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.38Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 62W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 440pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET II MOSFET基于先进的平面条形和DMOS技术。这一先进的MOSFET系列在平面MOSFET中具有最小的导通电阻，同时还具备卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部栅源ESD二极管使UniFET II MOSFET能够承受超过2kV的HBM浪涌应力。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- RDS(导通) = 1.38 Ω（典型值）@ VGS = 10 V，ID = 2 A
- 低栅极电荷（典型值9 nC）
- 低Crss（典型值4 pF）
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 增强的ESD能力
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
- LCD/LED电视-照明-充电器/适配器