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FDMS8D8N15C
耐压:150V 电流:85A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS8D8N15C
- 商品编号
- C605045
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 132W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.6nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.3pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款 N 沟道中压 MOSFET 采用集成了屏蔽栅技术的先进 PowerTrench 工艺制造。该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- VGS = 10 V、ID = 45 A 时，最大 rDS(on) = 8.8 mΩ
- VGS = 8 V、ID = 22.5 A 时，最大 rDS(on) = 9.4 mΩ
- 低 Qrr，软体恢复体二极管
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1 坚固封装设计
- 100% 进行 UIL 测试
- 这些器件无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 主 DC-DC MOSFET
- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能