温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDPF190N15A
1个N沟道 耐压:150V 电流:27.4A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDPF190N15A
- 商品编号
- C605056
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.6克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 27.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14.7mΩ@10V,27.4A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.685nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过优化，可在保持卓越开关性能的同时，将导通电阻降至最低。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 27.4 A条件下，RDS(on) = 14.7 mΩ（典型值）
- 低栅极电荷，QG = 31 nC（典型值）
- 低Crss（典型值56 pF）
- 快速开关速度
- 增强的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 消费电器
- LED电视
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 不间断电源
- 微型太阳能逆变器