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FDP8D5N10C
1个N沟道 耐压:100V 电流:76A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP8D5N10C
- 商品编号
- C605054
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 76A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,76A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；107W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 34nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.475nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用集成了屏蔽栅技术的先进PowerTrench®工艺制造。该工艺经过优化，可在最大限度降低导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 76 A时，最大rDS(on) = 8.5 mΩ
- 极低的反向恢复电荷Qrr
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电机驱动和不间断电源
- 微型太阳能逆变器