FDP2710-F085
FDP2710-F085
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDP2710-F085
- 商品编号
- C605052
- 商品封装
- TO-220AB-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.718克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 403W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.69nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道逻辑电平指定的MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最大程度降低导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。 这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关、电源管理、电池充电和保护电路。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 50 A 条件下,典型 rDS(on) = 38 m Ω
- 在 VGS = 10 V 条件下,典型 Qg(TOT) = 78 nC
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合AEC Q101标准
- 符合RoHS标准
应用领域
- 等离子显示器(PDP)应用
- 混合动力电动汽车DC/DC转换器