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FDMS86200DC
耐压:150V 电流:40A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展进步，可提供最低的 rDS(on)，同时利用极低的结到环境热阻保持出色的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86200DC
- 商品编号
- C605044
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x6.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,9.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.955nF@75V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用结合了屏蔽栅技术的先进PowerTrench工艺制造。硅技术和双散热封装技术的进步相结合，在极低的结到环境热阻下保持出色的开关性能，同时实现最低的导通电阻rDS(on)。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- 双散热顶部散热DFN8封装
- VGS = 10 V、ID = 9.3 A时，最大导通电阻rDS(on) = 17 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 7.8 A时，最大导通电阻rDS(on) = 25 mΩ
- 实现极低导通电阻rDS(on)的高性能技术
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- DC-DC转换器中的主MOSFET-次级同步整流器-负载开关