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FDMS86101DC
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 此 N 沟道 MOSFET 是使用先进的 PowerTrench工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。同时结合了硅和 Dual Cool 封装技术的发展，可提供最低的 rDS(on)，因为具有极低的结到环境热阻，同时可保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS86101DC
- 商品编号
- C605042
- 商品封装
- PQFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@10V,14.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.135nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
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起订量：1 个3000个/圆盘
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