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FDMS4D5N08LC
耐压:80V 电流:116A
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- 描述
- 这款N沟道中压（MV）MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅极技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS4D5N08LC
- 商品编号
- C605038
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.266667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 116A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,37A | |
| 耗散功率(Pd) | 113.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 71nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.1nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用安森美半导体先进的POWERTRENCH®工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时借助同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 37 A时，最大rDS(on) = 4.2 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 29 A时，最大rDS(on) = 6.1 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1稳健封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能