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FDMQ86530L
耐压:60V 电流:8A
- 描述
- 与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMQ86530L
- 商品编号
- C605032
- 商品封装
- V-DFN5045-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 22W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 299pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款四通道MOSFET解决方案在功率耗散方面比二极管电桥提高了十倍。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 8 A 时,最大 rDS(on) = 17.5 m Ω
- 在 VGS = 6 V、ID = 7 A 时,最大 rDS(on) = 23 m Ω
- 在 VGS = 4.5 V、ID = 6.5 A 时,最大 rDS(on) = 25 m Ω
- 在PD解决方案中具有显著的效率优势
- 符合RoHS标准
应用领域
- 有源电桥
- 24V和48V交流系统中的二极管电桥替代方案