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FDMQ86530L
耐压:60V 电流:8A
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- 描述
- 与二极管桥相比，此四 MOSFET 解决方案在功率耗散方面提供了十倍改善。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMQ86530L
- 商品编号
- C605032
- 商品封装
- V-DFN5045-12
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.084克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@10V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 22W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.295nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在VGS = -10 V、ID = -50 A条件下，典型RDS(on) = 11 mΩ
- 在VGS = -10 V、ID = -50 A条件下，典型Qg(tot) = 28 nC
- 具备单脉冲雪崩耐量
- 通过AEC Q101认证
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- 汽车发动机控制
- 动力系统管理
- 电磁阀和电机驱动器
- 电动助力转向系统
- 集成式起动机/发电机
- 分布式电源架构和电压调节模块
- 12 V系统主开关