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FDMS3D5N08LC
FDMS3D5N08LC
- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMS3D5N08LC
- 商品编号
- C605036
- 商品封装
- Power-56
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V,45A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 6.125nF@40V | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF@40V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺融入了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 45 A时，最大rDS(on) = 3.5 mΩ
- VGS = 4.5 V、ID = 36 A时，最大rDS(on) = 5.1 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声和电磁干扰（EMI）
- MSL1坚固封装设计
- 100%进行UIL测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主DC-DC MOSFET
- DC-DC和AC-DC中的同步整流器
- 电机驱动
- 太阳能