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FDMC010N08C
1个N沟道 耐压:80V 电流:11A 51A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 使用安森美半导体先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDMC010N08C
- 商品编号
- C605028
- 商品封装
- Power-33
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A；51A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W；52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道中压MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，融入了屏蔽栅技术。该工艺经过优化，可将导通电阻降至最低，同时凭借同类最佳的软体二极管保持出色的开关性能。
商品特性
- 屏蔽栅MOSFET技术
- VGS = 10 V、ID = 16 A时,最大rDS(on) = 10 mΩ
- VGS = 6 V、ID = 8 A时,最大rDS(on) = 25 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商的产品低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIS测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-主DC-DC MOSFET-DC-DC和AC-DC中的同步整流器-电机驱动-太阳能