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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FDD9509L-F085

耐压:40V 电流:90A

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私有库下单最高享92折
描述
P 沟道,PowerTrench MOSFET,-40 V,-100 A,4.4 mΩ
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FDD9509L-F085
商品编号
C605022
商品封装
DPAK(TO-252)​
包装方式
编带
商品毛重
0.4606克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)90A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@10V
耗散功率(Pd)150W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)50nC@10V
输入电容(Ciss)3.35nF
反向传输电容(Crss)42pF
工作温度-55℃~+175℃

商品特性

  • 在 VGS = -10 V、ID = -70 A 条件下,典型 rDS(on) = 6.0 m Ω
  • 在 VGS = -10 V、ID = -70 A 条件下,典型 Qg(tot) = 50 nC
  • 具备单脉冲雪崩耐量
  • 通过 AEC Q101 认证
  • 这些器件无铅且符合 RoHS 标准

应用领域

  • 汽车发动机控制动力总成管理
  • 电磁阀和电机驱动器
  • 电动助力转向
  • 集成式启动发电机
  • 分布式电源架构和 12 V 系统的电压调节模块主开关

数据手册PDF