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FDC8886
1个N沟道 耐压:30V 电流:6.5A
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- 描述
- 此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDC8886
- 商品编号
- C605018
- 商品封装
- TSOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.075克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 465pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用仙童半导体公司先进的Power Trench®工艺制造，该工艺针对导通电阻rDS(on)和开关性能进行了优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 6.5 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 23 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 6.0 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 36 mΩ
- 高性能沟槽工艺，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 开关速度快
- 符合RoHS标准
应用领域
- 主开关