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FDB15N50
1个N沟道 耐压:500V 电流:15A
- 描述
- UniFETTM MOSFET 是基于平面条纹和 DMOS 技术的高压 MOSFET 系列。此 MOSFET 适用于降低导通电阻，提供更佳的开关性能以及更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于开关电力转换器应用，如功率系数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) TV 电源、ATX 和电子灯镇流器。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB15N50
- 商品编号
- C605009
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.798克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,7.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.85nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。该MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示（FPD）电视电源、ATX和电子灯镇流器。
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单（典型值33 nC）
- 改善了栅极、雪崩和高重复施加dv/dt的鲁棒性
- 降低了RDS(on)（在VGS = 10 V、ID = 7.5 A时，典型值为330 mΩ）
- 降低了米勒电容和低输入电容（典型值Crss = 16 pF）
- 提高了开关速度，降低了电磁干扰
- 额定结温为175°C
应用领域
- 照明-不间断电源-交流-直流电源