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FDB1D7N10CL7
1个N沟道 耐压:100V 电流:268A
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- 描述
- 此 N 沟道 MV MOSFET 是使用安森美半导体先进的 Power Trench 工艺生产的，该工艺结合了屏蔽门极技术。此工艺经过了优化，可最大程度降低导通电阻，同时可保持卓越的开关性能，以及业内最佳的软体二极管。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB1D7N10CL7
- 商品编号
- C605010
- 商品封装
- TO-263-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 268A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.75mΩ@10V,100A | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.6nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5.025nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用安森美半导体先进的POWERTRENCH工艺制造，该工艺集成了屏蔽栅技术。此工艺经过优化，可在最小化导通电阻的同时，凭借同类最佳的软体二极管保持卓越的开关性能。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 100 A时，最大RDS(on) = 1.75 mΩ
- 在VGS = 12 V、ID = 100 A时，最大RDS(on) = 1.7 mΩ
- 在VGS = 15 V、ID = 100 A时，最大RDS(on) = 1.65 mΩ
- 在VGS = 6 V、ID = 63 A时，最大RDS(on) = 4.4 mΩ
- Qrr比其他MOSFET供应商低50%
- 降低开关噪声/电磁干扰
- MSL1坚固封装设计
- 100%经过UIL测试
应用领域
- 工业电机驱动-工业电源-工业自动化-电池供电工具-电池保护-太阳能逆变器-UPS和能量逆变器-储能-负载开关