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FDB9503L-F085
1个P沟道 耐压:40V 电流:110A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB9503L-F085
- 商品编号
- C605014
- 商品封装
- D2PAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.69克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,80A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 255nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.32nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过专门优化，可将导通电阻降至最低，同时保持出色的开关性能。
商品特性
- 当栅源电压为10 V、漏极电流为50 A时，典型漏源导通电阻为38 mΩ
- 当栅源电压为10 V时，典型总栅极电荷为78 nC
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 具备高功率和高电流处理能力
- 通过AEC Q101认证
- 符合RoHS标准
应用领域
- PDP应用
- 混合动力汽车DC/DC转换器