温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASA60R180EFD
1个N沟道 耐压:600V 电流:28A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.140Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。应用：半桥、不对称半桥或串联谐振半桥拓扑。 服务器电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASA60R180EFD
- 商品编号
- C5439998
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.8939克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 47.59nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.389nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.07pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽工艺技术 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻 采用SOT - 23表面贴装封装。
商品特性
- VDS = -30V
- ID = -3A
- 在VGS = -10V时，RDS(ON)典型值为65mΩ
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON)典型值为75mΩ