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ASW60R090EFD
1个N沟道 耐压:650V 电流:47A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.080Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 3 至 5V。应用：软开关升压 PFC 开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW60R090EFD
- 商品编号
- C5440016
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.717克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 391W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.799nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.6pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
EPC2305是一款150V eGaN功率晶体管，采用3×5mm QFN封装，顶部外露，具有低电感特性，可实现出色的热管理。 其至外壳顶部的热阻约为0.2°C/W，热性能出色，易于散热。该器件采用了增强型PQFN “Thermal - Max” 封装。外露顶部增强了顶部热管理，可焊侧边确保在回流焊接过程中整个侧边焊盘表面都能被焊料浸润，保护铜层，并允许在此外侧区域进行焊接，便于光学检测。 与硅MOSFET相比，其占位面积为15mm²，不到同类最佳硅MOSFET尺寸的一半，且具有相似的RDS(on)和电压额定值，QG和QGD显著更小，QRR为0。这使得开关损耗和栅极驱动损耗更低。总之，由于效率提高、尺寸更小以及开关频率更高，EPC2305可实现更高的功率密度，适用于更小的电感器和更少的电容器。 EPC2305使设计人员能够提高效率并节省空间。出色的热性能使散热更轻松、成本更低。eGaN FET极低的电容和零反向恢复特性使其在多种拓扑结构中能高效运行。小尺寸、低电感的占位面积进一步提升了性能。
商品特性
- 150V
- 典型值2.2 mΩ
- 3×5mm QFN封装
应用领域
- 高频DC/DC-AC/DC充电器和适配器-无刷直流电机驱动-电动出行电机驱动-太阳能优化器和最大功率点跟踪器(MPPT)-充电器、适配器和电源的同步整流-D类音频-手机和笔记本电脑快速充电-电动出行、电动工具和吸尘器的DC/DC和充电器