温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
ASW65R110E
1个N沟道 耐压:655V 电流:30A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.095Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：Boost PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASW65R110E
- 商品编号
- C5440019
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.064克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 277.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.497nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.75pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.278 Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.8 至 4.2 V
应用领域
- 升压功率因数校正（PFC）开关、单端反激或双晶体管正激、半桥（HB）或有源半桥（AHB）或 LLC 拓扑
- 个人电脑电源、PD 适配器、液晶（LCD）与等离子（PDP）电视、LED 照明、服务器电源、不间断电源（UPS）应用