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ASM60R330E
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.305Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：Boost PFC开关，单端反激或双晶体管正激，半桥、不对称半桥或串联谐振半桥拓扑。 PC电源，PD适配器，LCD与PDP电视，LED照明，服务器电源，UPS应用
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASM60R330E
- 商品编号
- C5440039
- 商品封装
- DFN8x8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.334克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 176W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.082nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 在VGS = -10V时，RDS(ON) = 36mΩ（典型值）
- 在VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）
应用领域
- 笔记本电脑电源管理-电池供电系统-便携式设备