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ASM65R265E
1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 230mΩ（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC 电源
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASM65R265E
- 商品编号
- C5440041
- 商品封装
- DFN8x8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.343133克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 230mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.16nF@400V | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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