商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.377nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 62pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 80 mΩ(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2 至 4 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
-不对称桥-转换器-逆变器-单开关正激电路-反激电路