ADW120N080G2
ADW120N080G2
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- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ADW120N080G2
- 商品编号
- C5440046
- 商品封装
- TO-247-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 耗散功率(Pd) | 188W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 58nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.377nF@1000V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@1000V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 4.2 mΩ（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.5 至 3.5 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 电脑电源、PD 适配器、液晶和等离子电视以及 LED 照明