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AUB056N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:136A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻: -DFN5X6 RDS(ON) = 4.6mΩ (典型值)。TO263 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。TO220 RDS(ON) = 4.8mΩ (典型值)。 高速功率开关。 增强体二极管 dv/dt 能力。 增强雪崩耐用性。应用：开关电源中的同步整流。 电信和工业领域的硬开关和高速 DC/DC 电路
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- AUB056N10
- 商品编号
- C5440033
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.895克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 136A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.3mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 161W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63.7nC | |
| 输入电容(Ciss) | 3.864nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 15.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 6.5 mΩ（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 2.4 至 3.4 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视及 LED 照明