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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASW65R095EFD

耐压:700V 电流:47A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.082Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 3至5V。应用:升压PFC开关。 半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑
品牌名称
ANHI(安海)
商品型号
ASW65R095EFD
商品编号
C5440018
商品封装
TO-247-3L​
包装方式
管装
商品毛重
6.79克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)47A
导通电阻(RDS(on))95mΩ
耗散功率(Pd)391W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)85nC
输入电容(Ciss)4.799nF@50V
反向传输电容(Crss)4.6pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318 Ω(典型值)
  • 易于控制栅极开关
  • 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关 PWM
  • 个人电脑(PC)
  • 银盒设备
  • 适配器
  • 液晶显示器(LCD)和等离子显示器(PDP)电视
  • 照明
  • 服务器电源
  • 电信电源
  • 不间断电源(UPS)应用

数据手册PDF