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ASA65R350E
1个N沟道 耐压:700V 电流:11A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.318Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：PFC 阶段。 硬开关 PWM 阶段
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASA65R350E
- 商品编号
- C5440002
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.856克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 获得无铅产品
- 先进的沟槽工艺技术
- 用于超低导通电阻的高密度单元设计
- 采用SOT - 23表面贴装封装
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 20 V
- 漏极电流（ID） = 0.5 A
- 栅源电压（VGS） = 4.5 V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值 = 220 mΩ
- 栅源电压（VGS） = 2.5 V时的导通电阻（RDS(ON)），典型值 = 290 mΩ
应用领域
- 负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换