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ASA65R350E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASA65R350E

1个N沟道 耐压:700V 电流:11A

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描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.8 至 4.2V。应用:PFC 阶段。 硬开关 PWM 阶段
品牌名称
ANHI(安海)
商品型号
ASA65R350E
商品编号
C5440002
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.856克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))350mΩ
耗散功率(Pd)31W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)22nC
输入电容(Ciss)901pF
反向传输电容(Crss)5.3pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

  • 获得无铅产品
  • 先进的沟槽工艺技术
  • 用于超低导通电阻的高密度单元设计
  • 采用SOT - 23表面贴装封装

商品特性

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318 Ω(典型值)
  • 易于控制栅极开关
  • 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
  • 符合 RoHS 标准

应用领域

  • 功率因数校正(PFC)级
  • 硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关 PWM
  • 个人电脑(PC)
  • 银盒设备
  • 适配器
  • 液晶显示器(LCD)和等离子显示器(PDP)电视
  • 照明
  • 服务器电源
  • 电信电源
  • 不间断电源(UPS)应用

数据手册PDF