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ASB65R300E
1个N沟道 耐压:655V 电流:15A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.278Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：Boost PFC开关、单端反激或双晶体管正激、HB或AHB或LLC拓扑。 PC电源、PD适配器、LCD与PDP电视、LED照明、服务器电源、UPS应用
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASB65R300E
- 商品编号
- C5440008
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 655V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 118W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22.94nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.02nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.11pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.082Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3 至 5 V
应用领域
- 升压 PFC 开关、半桥、不对称半桥、串联谐振半桥和全桥拓扑。
- 服务器电源、电信电源、电动汽车充电、太阳能逆变器、UPS 应用。