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ASE70R950E
1个N沟道 耐压:750V 电流:6A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.870Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：单端反激式电路。 PD 适配器
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASE70R950E
- 商品编号
- C5440015
- 商品封装
- SOT223-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.242克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 950mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 377pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.55pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
先进沟槽工艺技术 高功率和电流处理能力 符合无铅产品要求 采用SOT - 23表面贴装封装。
商品特性
- VDS = -20V
- ID = -2.2A
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON)典型值为95mΩ
- 当VGS = -2.5V时，RDS(ON)典型值为130mΩ
应用领域
- PWM应用-负载开关