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ASD65R350E实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ASD65R350E

1个N沟道 耐压:700V 电流:11A

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描述
特性:低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318Ω(典型值)。 易于控制栅极开关。 增强模式:Vth = 2.8 至 4.2V。应用:PFC 级。 硬开关 PWM 级
品牌名称
ANHI(安海)
商品型号
ASD65R350E
商品编号
C5440010
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.496克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)700V
连续漏极电流(Id)11A
导通电阻(RDS(on))350mΩ
耗散功率(Pd)83W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)901pF@50V
反向传输电容(Crss)5.3pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

  • 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.278 Ω(典型值)
  • 易于控制栅极开关
  • 增强型:Vth = 2.8至4.2 V

应用领域

  • 升压PFC开关、单端反激或双晶体管正激、半桥(HB)或有源半桥(AHB)或LLC拓扑
  • 适用于PC电源、PD适配器、液晶(LCD)与等离子(PDP)电视、LED照明、服务器电源、UPS应用

数据手册PDF