商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 350mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 901pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻:RDS(ON) = 0.318Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强型:Vth = 2.8 至 4.2 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正(PFC)级、硬开关脉宽调制(PWM)级和谐振开关 PWM
- 个人电脑、机顶盒、适配器、液晶(LCD)和等离子(PDP)电视、照明、服务器电源、电信电源和不间断电源(UPS)应用