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ASD65R550E
耐压:700V 电流:8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.50Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：升压功率因数校正开关。 单端反激或双晶体管正激拓扑
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASD65R550E
- 商品编号
- C5440011
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.487克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 550mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 599pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21标准的无卤产品
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 100%进行UIS测试
- 符合RoHS标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 负载开关
- 笔记本电脑
- 台式电脑