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ASA70R600E
1个N沟道 耐压:750V 电流:8A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.540Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：单端反激或双晶体管正激拓扑。 PD 适配器
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASA70R600E
- 商品编号
- C5440006
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.842克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 599pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.55pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.140Ω（典型值）
- 易于控制栅极开关
- 增强型：Vth = 3 至 5 V
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 适用于半桥、不对称半桥或串联谐振半桥拓扑
- 如服务器电源、电信电源、电动汽车充电。