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ASA65R850E
耐压:700V 电流:6A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.750Ω（典型值）。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2V。应用：升压PFC开关、单端反激或双晶体管正激拓扑。 PC电源、PD适配器、LCD和PDP电视以及LED照明
- 品牌名称
- ANHI(安海)
- 商品型号
- ASA65R850E
- 商品编号
- C5440004
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 850mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | 27W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.3nC | |
| 输入电容(Ciss) | 377pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
沟槽技术 超高密度单元设计 适用于更高直流电流的出色导通电阻 极低阈值电压 DFN1006-3L小封装 小信号开关 小型电机驱动器
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 0.71A
- RDS(ON) @ VGS = 4.5V，典型值 = 220mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 2.5V，典型值 = 260mΩ
- RDS(ON) @ VGS = 1.8V，典型值 = 315mΩ