温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
CMD607
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:25A 12A
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- CMD607采用先进的沟槽技术MOSFET，以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD607
- 商品编号
- C5371865
- 商品封装
- TO-252-4L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.385克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A；12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V；1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V；20nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 900pF；850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF；120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 150pF；190pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
CMD607采用先进的沟槽技术MOSFET,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。
商品特性
- 30V 25A,VGS = 10V时RDS(ON) ≤ 16mΩ
- VGS = 4.5V时RDS(ON) ≤ 19mΩ
- 30V -12A,VGS = 10V时RDS(ON) ≤ 35mΩ
- VGS = 4.5V时RDS(ON) ≤ 45mΩ
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- DC/DC转换器