CMD63P04L
1个P沟道 耐压:40V 电流:63A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 63P04L采用先进的技术与设计,以提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源以及LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD63P04L
- 商品编号
- C5371866
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 63A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 61nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
150N04A采用先进技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)。 该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,最大导通电阻rDS(on) = 3 mΩ
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 逆变器
- 电源
