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AO4407
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
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- 描述
- 特性：先进的沟槽工艺技术。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 产品为无铅产品。 VDS：-30V 最大，ID：-12A 最大。 RDS(ON) ≤13mΩ @VGS = -20V。 RDS(ON) ≤14mΩ @VGS = -10V。 RDS(ON) ≤30mΩ @VGS = -5V
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- AO4407
- 商品编号
- C5364281
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.18克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.6nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 295pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPM2030JX是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 TPM2030JX符合RoHS和绿色产品要求。
商品特性
- 先进沟槽工艺技术
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 产品无铅
- 漏源电压(VDS):最大 -30V,漏极电流(ID):最大 -12A
- 栅源电压(VGS)=-20V 时,导通电阻(RDS(ON))≤13mΩ
- 栅源电压(VGS)=-10V 时,导通电阻(RDS(ON))≤14mΩ
- 栅源电压(VGS)=-5V 时,导通电阻(RDS(ON))≤30mΩ