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HKTD7N65
1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
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- 描述
- 特性：VDS：650V 最大，ID：7A 最大。 RDS(ON)：1.3Ω（最大）@VGS = 10V，ID = 1A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD7N65
- 商品编号
- C5364288
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 27.2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最大650V，漏极电流（ID）：最大4A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 1A时，最大2.6Ω
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征