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HKTQ30N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 描述
- HKTQ30N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种场合。
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTQ30N03
- 商品编号
- C5364299
- 商品封装
- PDFN-8L(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.8mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 21W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.015nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 160pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ |
商品特性
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量,稳定性和一致性良好
- 出色的封装,散热性能佳
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源