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HKTQ60N02
1个N沟道 耐压:20V 电流:50A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V，RDS(ON) ≤ 7.5mΩ @VGS = 2.5V，ID = 8A。超低导通电阻。适用于低功耗 DC-DC 转换器应用。适用于负载开关应用。表面贴装器件
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTQ60N02
- 商品编号
- C5364301
- 商品封装
- PDFN3333
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 750mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 77nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 500pF |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最小500V，漏极电流（ID）：最大5A。
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=10V、漏极电流（ID）=1A时，最大1.7Ω
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=10V、漏极电流（ID）=2.5A时，最大1.6Ω
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征