AO3415
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性:使用先进的沟槽技术,以提供出色的RDS(ON)。低栅极电荷。可在低至1.8V的栅极电压下工作
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- AO3415
- 商品编号
- C5364322
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 300mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC | |
| 输入电容(Ciss) | 905pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个3000个/圆盘
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