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HKTQ50N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:50A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V，RDS(ON) ≤ 8.5mΩ @VGS = 10V，ID = 20A。 超低导通电阻。 表面贴装器件。应用：低功耗 DC-DC 转换器应用。 负载开关应用
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTQ50N03
- 商品编号
- C5364300
- 商品封装
- PDFN3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.097克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 37W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 110pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最大60V，漏极电流（ID）：最大20A
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=10V、漏极电流（ID）=10A时，最大37mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS）=5V、漏极电流（ID）=5A时，最大48mΩ
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性