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HKTD120N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
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- 描述
- 特性：VDS: 40V Max., ID: 120A Max.。 RDS(ON):2.6mΩ(max.)@VGS=10V, ID=50A。 RDS(ON):3.5mΩ(max.)@VGS=4.5V, ID=50A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 完全表征的雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD120N04
- 商品编号
- C5364295
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.479克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.62nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):最大40V,漏极电流(ID):最大120A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS)=10V、漏极电流(ID)=50A时,最大2.6mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS)=4.5V、漏极电流(ID)=50A时,最大3.5mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 全面表征雪崩电压和电流
应用领域
- 低功耗DC-DC转换器应用
- 负载开关应用