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HKTG150N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
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- 描述
- 特性：低导通电阻。 快速开关速度。 易于设计驱动电路。 易于并联
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTG150N03
- 商品编号
- C5364298
- 商品封装
- PDFN5x6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@4.5V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
TPM3012V1SX是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。 TPM3012V1SX符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -12 V
- 漏极电流（ID） = -5 A
- 导通电阻（RDS(ON)） ≤ 0.032 Ω（栅源电压（VGS） = -4.5 V）