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HKTD15N10
1个N沟道 耐压:100V 电流:15A
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- 描述
- 特性：VDS：100V Max.。 ID：15A Max.。 RDS(ON)：100mΩ (max.) @ VDS = 10V, ID = 10A。 RDS(ON)：110mΩ (max.) @ VDS = 4.5V, ID = 10A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD15N10
- 商品编号
- C5364289
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 34W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
HKTQ30N03采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压(VDS):最大100V,漏极电流(ID):最大15A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS) = 10V、漏极电流(ID) = 10A时,最大100mΩ
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS) = 4.5V、漏极电流(ID) = 10A时,最大110mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整雪崩电压和电流特性表征
应用领域
- 大电流负载应用
- 负载开关
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源