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HKTD80N03
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 描述
- 特性：VDS：30V Max.。 ID：80A Max.。 RDS(ON)：6 mΩ(max.)@VGS = 10V, ID = 30A。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完全表征的雪崩电压和电流
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD80N03
- 商品编号
- C5364294
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.33nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 230pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压（VDS）：最小200V，漏极电流（ID）：最大5A。
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：在栅源电压（VGS） = 10V、漏极电流（ID） = 2.5A 时，最大0.6Ω
- 采用高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性