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HKTD70N04实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HKTD70N04

1个N沟道 耐压:40V 电流:70A

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描述
特性:VDS:最大40V,ID:最大70A。 RDS(ON):在VGS = 10V、ID = 15A时,最大9.5mΩ。 高密度单元设计,实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
品牌名称
Hottech(合科泰)
商品型号
HKTD70N04
商品编号
C5364293
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.45克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)70A
导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V,15A
耗散功率(Pd)108W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.3nF
反向传输电容(Crss)188pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

商品特性

~~- 低导通电阻-快速开关速度-驱动电路易于设计-易于并联

数据手册PDF