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HKTD70N04
1个N沟道 耐压:40V 电流:70A
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- 描述
- 特性：VDS：最大40V，ID：最大70A。 RDS(ON)：在VGS = 10V、ID = 15A时，最大9.5mΩ。 高密度单元设计，实现超低导通电阻。 具备完整的雪崩电压和电流特性
- 品牌名称
- Hottech(合科泰)
- 商品型号
- HKTD70N04
- 商品编号
- C5364293
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 108W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 188pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 漏源电压(VDS):最大40V,漏极电流(ID):最大70A
- 漏源导通电阻(RDS(ON)):在栅源电压(VGS) = 10V、漏极电流(ID) = 15A时,最大9.5mΩ
- 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 具备完整的雪崩电压和电流特性